Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Интегральные микросхемы
Модули памяти

Модули памяти

Сбросить фильтр
Популярные
CY7C1049DV33-10VXIT

Cypress Semiconductor

CY7C1049DV33-10VXIT
Микросхема: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ

31 шт - в наличии

1 082 ₽

1 шт — 1 082 ₽

AS7C4096A-12JCN

Alliance Memory, Inc.

AS7C4096A-12JCN
Микросхема: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ

14 шт - в наличии

190 шт - 3-6 недель

1 471 ₽

1 шт — 1 471 ₽

19 шт — 1 284 ₽

AS6C1008-55PCN

ALLIANCE MEMORY

AS6C1008-55PCN
Микросхема: IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32DIP

4 шт - в наличии

125 шт - 3-6 недель

791 ₽

1 шт — 791 ₽

13 шт — 762 ₽

IS62WV10248EBLL-45TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS62WV10248EBLL-45TLI
Микросхема: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II

2 шт - в наличии

314 шт - 3-6 недель

1 068 ₽

1 шт — 1 068 ₽

10 шт — 920 ₽

AS6C4008-55PCN

ALLIANCE MEMORY

AS6C4008-55PCN
Микросхема: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32DIP

2 шт - в наличии

107 шт - 3-6 недель

1 498 ₽

1 шт — 1 498 ₽

13 шт — 1 087 ₽

IS43TR16512B-125KBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43TR16512B-125KBLI
Микросхема: IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96TWBGA

1 шт - в наличии

112 шт - 3-6 недель

4 281 ₽

1 шт — 4 281 ₽

10 шт — 3 727 ₽

MT46V16M8TG-6T:D TR

Micron Technology Inc.

MT46V16M8TG-6T:D TR
Микросхема: IC DRAM 128MBIT PARALLEL 66TSOP

1 шт - в наличии

580 ₽

1 шт — 580 ₽

CY62256VNLL-70SNXI

Cypress Semiconductor

CY62256VNLL-70SNXI
Микросхема: IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOIC

1 шт - в наличии

495 ₽

1 шт — 495 ₽

IS42S16400D-7TL

Integrated Silicon Solution Inc

IS42S16400D-7TL
Микросхема: IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II

1 шт - в наличии

1 114 ₽

1 шт — 1 114 ₽

0418A4ACLAA-5

IBM

0418A4ACLAA-5
Микросхема: 4MBIT (256K X 18) SRAM

119893 шт - 3-6 недель

61 029 ₽

9 шт — 6 781 ₽

CY7C1018DV33-10VXI

Cypress Semiconductor Corp

CY7C1018DV33-10VXI
Микросхема: IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ

107438 шт - 3-6 недель

54 936 ₽

126 шт — 436 ₽

300 шт — 342 ₽

R1LP0408CSP-5SI#B0

Renesas Electronics Corporation

R1LP0408CSP-5SI#B0
Микросхема: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32SOP

100486 шт - 3-6 недель

55 056 ₽

16 шт — 3 441 ₽

MT58L128L32F1T-7.5

Micron Technology Inc.

MT58L128L32F1T-7.5
Микросхема: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 100TQFP

85547 шт - 3-6 недель

54 873 ₽

91 шт — 603 ₽

CY621472G30-45ZSXA

Infineon Technologies

CY621472G30-45ZSXA
Микросхема: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II

80575 шт - 3-6 недель

101 000 ₽

50 шт — 2 020 ₽

1350 шт — 594 ₽

MT58L256L32DT-7.5

Micron Technology Inc.

MT58L256L32DT-7.5
Микросхема: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 100TQFP

79134 шт - 3-6 недель

54 961 ₽

53 шт — 1 037 ₽

CDP68HC68R2E

Harris Corporation

CDP68HC68R2E
Микросхема: STANDARD SRAM, 256X8, CMOS, PDIP

77312 шт - 3-6 недель

55 272 ₽

98 шт — 564 ₽

CY7C1011CV33-10BAJXE

Infineon Technologies

CY7C1011CV33-10BAJXE
Микросхема: IC SRAM 2MBIT PARALLEL 48FBGA

76857 шт - 3-6 недель

323 ₽

1 шт — 323 ₽

10 шт — 302 ₽

MT58L64L32PT-6

Micron Technology Inc.

MT58L64L32PT-6
Микросхема: IC SRAM 2MBIT PARALLEL 100TQFP

75029 шт - 3-6 недель

54 579 ₽

69 шт — 791 ₽

MT55L256V18P1T-10

Micron Technology Inc.

MT55L256V18P1T-10
Микросхема: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 100TQFP

74152 шт - 3-6 недель

54 870 ₽

93 шт — 590 ₽

R1LV0416CSB-7LI#S0

Renesas Electronics Corporation

R1LV0416CSB-7LI#S0
Микросхема: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II

69832 шт - 3-6 недель

52 657 ₽

11 шт — 4 787 ₽

Модули памяти

Модули памяти являются важными компонентами в цифровых системах, обеспечивая хранение и доступ к данным. Они представлены в различных формах и типах, таких как оперативная память (RAM), постоянная память (ROM), флэш-память и другие специализированные типы памяти, используемые в широком спектре приложений.

Применение

Модули памяти используются в компьютерных системах, мобильных устройствах, встраиваемых системах, серверах и сетевых устройствах. Они обеспечивают временное или постоянное хранение данных, необходимых для выполнения различных вычислительных задач, от запуска операционной системы до обработки больших объемов данных в реальном времени.

Совместимость

Модули памяти совместимы с процессорами, микроконтроллерами и различными периферийными устройствами, что позволяет интегрировать их в различные системы и устройства. Они обеспечивают высокую производительность и надежность, необходимые для современных приложений.

Основные характеристики модулей памяти:

  • Типы памяти: DRAM, SRAM, ROM, флэш-память, EEPROM.
  • Объем памяти: от нескольких килобайт до нескольких терабайт: определяет количество данных, которые могут быть сохранены.
  • Скорость доступа: от наносекунд до миллисекунд: влияет на быстродействие системы.
  • Интерфейсы: параллельные и последовательные интерфейсы, такие как DDR, GDDR, NAND, NOR.
  • Напряжение питания: от 1,2 В до 5 В: обеспечивает совместимость с различными типами систем.
  • Энергонезависимость: флэш-память и EEPROM сохраняют данные при отключении питания, в отличие от оперативной памяти (RAM).
Примеры использования модулей памяти:
  • Оперативная память (RAM): используется в компьютерах и мобильных устройствах для временного хранения данных, необходимых для выполнения текущих задач.
  • Постоянная память (ROM): используется для хранения прошивок и микропрограмм, которые необходимы для начальной загрузки и работы устройств.
  • Флэш-память: широко применяется в SSD-накопителях, USB-накопителях, SD-картах и других устройствах для хранения данных.
  • EEPROM: используется для хранения конфигурационных данных, калибровочных значений и другой информации, требующей сохранения при отключении питания.

Модули памяти являются критически важными компонентами в современных цифровых системах, обеспечивая надежное и эффективное хранение данных. Их разнообразие и гибкость позволяют использовать их в самых различных приложениях, от персональных компьютеров до сложных промышленных и встраиваемых систем, удовлетворяя высокие требования к производительности и надежности.

Модули памяти (Интегральные микросхемы)

Модули памяти: цифровая нервная система современной электроники

В мире, где каждое устройство стремится стать умнее и быстрее, модули памяти выполняют роль фундаментальной основы, на которой строится вся цифровая логика. Это не просто пассивные хранилища данных, а высокоскоростные буферы, обеспечивающие бесперебойный диалог между процессором и остальными компонентами системы. Без них невозможна работа ни одного сложного электронного устройства — от системы управления лифтом в вашем доме, где микроконтроллер постоянно считывает и записывает данные о этажах и командах, до профессионального звукового микшера, обрабатывающего несколько аудиопотоков в реальном времени. Их надежность и скорость напрямую определяют отзывчивость интерфейса, стабильность выполнения прошивки и общую производительность конечного продукта, будь то умный счетчик коммунальных ресурсов или бортовой компьютер промышленного станка.

Микросхемы памяти SOIC на печатной плате

Эволюция технологий: от килобайтов к гигабайтам на кристалле

История развития модулей памяти — это гонка за плотностью, энергоэффективностью и быстродействием. Если первые микросхемы статической памяти (SRAM) измеряли свой объем в килобайтах и потребляли значительную мощность, то современные чипы динамической памяти (DRAM) и флеш-памяти (NAND, NOR) вмещают гигабайты данных, оставаясь крайне экономичными. Ключевым прорывом стало изобретение памяти типа DDR, которая передает данные по обоим фронтам тактового импульса, effectively удваивая пропускную способность без увеличения частоты. Это решение стало отраслевым стандартом для вычислительных систем. Параллельно развивалась флеш-память, позволившая создать компактные и энергонезависимые накопители, которые произвели революцию в портативной технике. Сегодня тренды смещаются в сторону низковольтных решений (LPDDR) для мобильных и IoT-устройств и повышения надежности за счет ECC (коррекции ошибок) в ответственных applications, таких как медицинское оборудование и телекоммуникационные серверы.

Разнообразие решений для конкретных инженерных задач

Выбор конкретного типа памяти диктуется архитектурой проекта и экономическими соображениями. Для кэширования критически важных данных, где важна скорость, а не объем, идеально подходит SRAM — ее можно найти в кэш-памяти процессоров, сетевых маршрутизаторах и высокоскоростных буферах связи. Более емкая и дешевая DRAM составляет основную оперативную память в персональных компьютерах, серверах и сложных мультимедийных системах. Ее разновидности, такие как DDR3, DDR4 и DDR5, предлагают различный баланс производительности и энергопотребления. Для хранения прошивки, операционных систем и пользовательских данных применяется энергонезависимая память. NOR Flash часто используется для хранения кода благодаря возможности быстрого произвольного доступа, в то время как более емкая NAND Flash лежит в основе SSD-накопителей и карт памяти. Отдельно стоит выделить серию EEPROM, незаменимую для хранения небольших, но часто изменяемых данных конфигурации, как в автомобильной электронике или системах умного дома.

На что обратить внимание при выборе?

Подбор модуля памяти — это не только поиск по форм-фактору. Несколько ключевых параметров определяют совместимость и производительность:

  • Тип и поколение: DDR3, DDR4, LPDDR4, SRAM, EEPROM — каждый тип имеет свои уникальные характеристики напряжения и таймингов.
  • Объем и организация: Количество мега- или гигабайт (64Mbit, 2GB) и разрядность шины (x8, x16) должны соответствовать требованиям контроллера.
  • Скорость (Тактовая частота или пропускная способность): Обозначается в мегагерцах (МГц) или как пропускная способность (например, PC4-25600). Выбор должен соответствовать возможностям системы.
  • Напряжение питания: Современные чипы работают при пониженном напряжении (1.2V, 1.35V), что критично для энергосберегающих проектов.
  • Корпус: Форм-фактор (SOIC, TSOP, BGA, DIP) определяет технологию монтажа (автоматический или ручной).
  • Дополнительные функции: Наличие ECC (коррекция ошибок) для повышения надежности или функции самообновления (Self-Refresh) для энергосбережения.

Почему заказчики выбирают «Эиком Ру»?

Наш магазин стал надежным партнером для сотен инженеров и компаний именно потому, что мы глубоко понимаем суть ваших задач. Мы предлагаем не просто каталог деталей, а тщательно сформированную базу компонентов от проверенных производителей (Micron, Samsung, Winbond, ISSI), где каждая позиция прошла строгий входной контроль. Это гарантирует, что вы получите именно те микросхемы, которые обеспечат стабильную работу вашего устройства на протяжении всего его жизненного цикла. Мы гордимся своим обширным складским ассортиментом, который позволяет быстро комплектовать заказы и предлагать конкурентные цены без ущерба для качества. А нашим ключевым преимуществом для клиентов со всей России является бесплатная доставка заказов, что делает сотрудничество не только надежным, но и максимально выгодным. Мы ценим ваше время и доверие.

Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП